삼성전자가 엔비디아 GTC 2026에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술을 공개하며 인공지능(AI) 인프라 시장 공략을 강화한다.

삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 메모리 토털 솔루션을 선보인다고 밝혔다. 이를 통해 엔비디아와의 협력을 기반으로 글로벌 AI 메모리 시장에서의 경쟁력을 강화한다는 전략이다.

삼성전자는 전시 공간에 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 HBM4 기술을 비롯해 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM)으로서의 역량을 강조했다. 또한 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 엔비디아와의 전략적 협력 관계를 소개했다.

전시 부스는 ▲AI Factories(AI 데이터센터) ▲Local AI(On-device AI) ▲Physical AI 등 세 개의 존으로 구성됐다. 이 공간에서는 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개된다.

행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 차세대 AI 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성전자의 메모리 토털 솔루션 전략을 설명할 예정이다.

■ HBM4E 실물 칩 첫 공개…차세대 패키징 기술도 선보여

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

HBM4E는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 설계 기술을 적용해 개발 중인 차세대 HBM 제품이다. 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 결합해 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개했다.

또 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 Vera Rubin에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 웨이퍼도 함께 전시해 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 구성했다.

삼성전자는 종합반도체 기업(IDM) 기반의 메모리 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 높이고 고성능 HBM 시장에서 경쟁력을 강화한다는 계획이다.

■ 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼 메모리 토털 솔루션 공급

삼성전자는 이번 전시를 통해 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’에 필요한 메모리와 스토리지를 공급할 수 있는 토털 솔루션 역량도 강조했다.

전시에서는 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763 등을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 공개했다.

SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로, 삼성전자는 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산을 시작했다.

또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763을 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로 제시하고, 부스에서는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연했다.

이와 함께 삼성전자는 AI 추론 성능과 전력 효율을 높이기 위해 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼용 스토리지로 PCIe Gen5 SSD ‘PM1753’도 공급할 계획이다.

삼성전자는 강력한 AI 시스템 구축에 필요한 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급하며 글로벌 AI 인프라 시장에서 경쟁력을 확대해 나간다는 방침이다.